在(zai)外(wai)延(yan)成長領域(yu)，高(gao)純石(shi)墨盤(pan)是必(bi)不(bu)可(ke)少(shao)的。它(ta)在(zai)外(wai)延(yan)成長中(zhong)起到(dao)加熱(re)和(he)裝(zhuang)載半(ban)導(dao)體(ti)晶(jing)圓(yuan)的作用。現在(zai)，主(zhu)流(liu)外延(yan)設備(bei)廠(chang)商配套的石(shi)墨盤(pan)在(zai)結(jie)構(gou)上基本(ben)相(xiang)同(tong)，均(jun)采(cai)用在(zai)石(shi)墨盤(pan)基座(zuo)上規劃(hua)壹個晶(jing)圓(yuan)形(xing)狀的淺凹槽的方式(shi)來(lai)裝(zhuang)載(zai)晶(jing)圓(yuan)。這(zhe)種規劃(hua)在(zai)成長小尺度的晶圓(yuan)(比如說(shuo)4寸(cun)半(ban)導(dao)體(ti)晶(jing)圓(yuan))來說(shuo)是合(he)理(li)的，保護(hu)起來(lai)也很(hen)方(fang)便。但(dan)對於(yu)成長大(da)尺度的外延片(pian)，基於(yu)下(xia)降晶(jing)圓(yuan)被(bei)旋(xuan)轉(zhuan)的石(shi)墨盤(pan)甩出的風險(xian)，晶(jing)圓(yuan)槽底(di)部(bu)相(xiang)對於(yu)石(shi)墨盤(pan)頂部(bu)的高(gao)度比小尺度石(shi)墨盤(pan)大(da)壹(yi)些(xie)。
這(zhe)種規劃(hua)導(dao)致了(le)成長大(da)尺度外(wai)延(yan)片(pian)尤其(qi)是厚膜外(wai)延片(pian)出現(xian)了(le)以下(xia)幾個問(wen)題(ti)：
        1.由(you)於石(shi)墨盤(pan)與(yu)晶(jing)圓(yuan)接觸(chu)區域(yu)較(jiao)多(duo)，在(zai)成長厚(hou)膜外(wai)延片(pian)時，沈(chen)積的外延層會(hui)添加石(shi)墨盤(pan)與(yu)半(ban)導(dao)體(ti)晶(jing)圓(yuan)的粘接(jie)，使得(de)成長完(wan)成後(hou)將外延片(pian)從(cong)石(shi)墨盤(pan)中(zhong)無(wu)損(sun)傷(shang)取(qu)出(chu)較(jiao)為困(kun)難(nan)，乃至可(ke)能(neng)導(dao)致裂(lie)片(pian)。
        2.因(yin)晶圓(yuan)邊際(ji)處(chu)較(jiao)高(gao)的臺階使得(de)該區域(yu)存在(zai)氣(qi)體(ti)湍流(liu)，容易(yi)滯留(liu)較(jiao)多(duo)的成長氣(qi)體(ti)，然(ran)後(hou)使得(de)外(wai)延(yan)片(pian)厚度(du)和(he)載(zai)流(liu)子濃度均勻性較(jiao)差(cha)。
        3.因(yin)外延爐壹(yi)般(ban)采用射頻感(gan)應(ying)加熱(re)，熱(re)量(liang)傳遞的方向(xiang)是沿(yan)著石(shi)墨盤(pan)徑向(xiang)從(cong)邊際(ji)到(dao)中(zhong)心，使得(de)石(shi)墨盤(pan)邊際(ji)的溫度高(gao)於中(zhong)心區域(yu)的溫度，這(zhe)在(zai)大(da)尺度外(wai)延(yan)成長中(zhong)尤為傑(jie)出(chu)。

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