首先要(yao)知(zhi)道(dao)PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離(li)子(zi)增(zeng)強(qiang)化(hua)學(xue)氣(qi)相(xiang)沈積，等(deng)離子(zi)體(ti)是物(wu)質(zhi)分子(zi)熱(re)運動加劇(ju)，相(xiang)互(hu)間(jian)的(de)碰(peng)撞會(hui)導致(zhi)氣(qi)體(ti)分子(zi)產生(sheng)電(dian)離(li)，物(wu)質(zhi)就(jiu)會(hui)變(bian)成自由運動並由相(xiang)互(hu)作(zuo)用的(de)正(zheng)離(li)子(zi)、電(dian)子(zi)和中(zhong)性粒(li)子(zi)組(zu)成的(de)混(hun)合(he)物(wu)。

據(ju)測算，光(guang)在矽(gui)表(biao)面(mian)的(de)反射損失率高(gao)達(da)35%左(zuo)右，減(jian)反膜可(ke)以(yi)極高(gao)地(di)提高(gao)電(dian)池片(pian)對太(tai)陽(yang)光(guang)的(de)利(li)用率，有(you)助於(yu)提(ti)高(gao)光(guang)生(sheng)電(dian)流(liu)密度(du)，進(jin)而提(ti)高(gao)轉換效(xiao)率(lv)，同(tong)時(shi)薄膜中(zhong)的(de)氫(qing)對於(yu)電(dian)池片(pian)表(biao)面的(de)鈍(dun)化(hua)降(jiang)低了發射(she)結(jie)的(de)表(biao)面(mian)復(fu)合(he)速(su)率(lv)，減(jian)小了暗(an)電流(liu)，提升(sheng)了開路電(dian)壓，提(ti)高(gao)了光(guang)電轉換效(xiao)率(lv)；在(zai)燒(shao)穿工(gong)藝中(zhong)的(de)高(gao)溫(wen)瞬(shun)時(shi)退(tui)火斷裂(lie)了壹(yi)些Si-H、N-H鍵，遊(you)離(li)出來(lai)的(de)H進(jin)壹(yi)步加(jia)強了對電(dian)池(chi)的(de)鈍(dun)化(hua)。

由(you)於光(guang)伏級矽(gui)材料(liao)中(zhong)不(bu)可(ke)避免(mian)的(de)含有(you)大(da)量的(de)雜(za)質(zhi)和缺(que)陷(xian)，導致(zhi)矽(gui)中(zhong)少(shao)子(zi)壽(shou)命(ming)及擴散(san)長(chang)度(du)降(jiang)低(di)，從而導致(zhi)電(dian)池(chi)的(de)轉換效(xiao)率(lv)下(xia)降(jiang)，H能與矽(gui)中(zhong)的(de)缺(que)陷(xian)或雜(za)質(zhi)進(jin)行反應(ying)，從而將禁帶(dai)中(zhong)的(de)能帶(dai)轉入價(jia)帶(dai)或(huo)者(zhe)導帶(dai)。

壹(yi)、PECVD原(yuan)理(li)

PECVD 系(xi)統是壹(yi)組利(li)用石(shi)墨(mo)舟和高(gao)頻等離(li)子(zi)激(ji)發器(qi)的(de)系(xi)列發生(sheng)器(qi)。在(zai)低(di)壓和升(sheng)溫(wen)的(de)情(qing)況(kuang)下，等離(li)子(zi)發生(sheng)器(qi)直(zhi)接(jie)裝(zhuang)在(zai)鍍(du)膜板(ban)中(zhong)間(jian)發生(sheng)反應(ying)。所用的(de)活(huo)性氣體為矽(gui)烷SiH4和氨(an)NH3。這(zhe)些氣(qi)體作(zuo)用於存(cun)儲在矽(gui)片(pian)上的(de)氮(dan)化(hua)矽(gui)。可(ke)以(yi)根(gen)據(ju)改(gai)變(bian)矽(gui)烷對氨(an)氣(qi)的(de)比率(lv)，來(lai)得到不(bu)同(tong)的(de)折(zhe)射(she)指(zhi)數。在沈積工(gong)藝中(zhong)，伴(ban)有大(da)量的(de)氫(qing)原(yuan)子(zi)和氫(qing)離(li)子(zi)的(de)產生(sheng)，使(shi)得(de)晶片(pian)的(de)氫(qing)鈍(dun)化(hua)性十分良好。在真(zhen)空(kong)、480攝(she)氏度(du)的(de)環(huan)境(jing)溫(wen)度下，通(tong)過(guo)對石(shi)墨(mo)舟的(de)導電(dian)，使(shi)矽(gui)片(pian)的(de)表(biao)面(mian)鍍(du)上壹(yi)層SixNy。

3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2

二、Si3N4

Si3N4膜的(de)顏色隨(sui)著它(ta)的(de)厚(hou)度(du)的(de)變(bian)化(hua)而(er)變(bian)化(hua)，壹(yi)般理(li)想(xiang)的(de)厚(hou)度(du)是75—80nm之(zhi)間(jian)，表(biao)現(xian)為(wei)深(shen)藍色，Si3N4膜的(de)折(zhe)射(she)率(lv)在2.0—2.5之(zhi)間(jian)效(xiao)果(guo)最(zui)好(hao)，通常用酒精(jing)來(lai)測其(qi)折(zhe)射(she)率(lv)。

優良的(de)表(biao)面(mian)鈍化(hua)效(xiao)果(guo)、高(gao)效(xiao)的(de)光(guang)學(xue)減(jian)反射性能（厚(hou)度(du)折(zhe)射(she)率(lv)匹配）、低溫(wen)工(gong)藝（有效(xiao)降(jiang)低(di)成本）、生(sheng)成的(de)H離(li)子(zi)對矽(gui)片(pian)表(biao)面鈍(dun)化(hua).

三(san)、鍍(du)膜車(che)間(jian)常(chang)見(jian)事(shi)項(xiang)

膜厚(hou)。沈積時(shi)間(jian)的(de)不(bu)同(tong)膜厚(hou)也是不(bu)壹(yi)樣(yang)的(de)要(yao)根(gen)據(ju)鍍(du)膜的(de)顏色來(lai)適當(dang)的(de)增(zeng)加(jia)或減(jian)少它(ta)的(de)沈積時(shi)間(jian)，片(pian)子(zi)發白(bai)要減(jian)少沈積時(shi)間(jian)，如(ru)偏紅(hong)則要(yao)適當(dang)的(de)增(zeng)加(jia)。每壹(yi)舟片(pian)子(zi)要(yao)全(quan)面(mian)的(de)確(que)認，不(bu)允許把不(bu)良(liang)品流(liu)入到下(xia)道(dao)工(gong)序(xu)，如(ru)色(se)斑、水(shui)印鍍(du)膜不(bu)良(liang)，應(ying)及時挑(tiao)出(chu)產線最(zui)常見(jian)的(de)表(biao)面(mian)發白(bai)、色差、白(bai)點(dian)，其(qi)中(zhong)表(biao)面(mian)發白(bai)主要由於(yu)氮(dan)化(hua)矽(gui)膜較(jiao)厚(hou)導致(zhi)，可(ke)通(tong)過(guo)調(tiao)節(jie)膜沈積時(shi)間(jian)來(lai)調(tiao)整(zheng)；色(se)差片(pian)主要由於(yu)氣(qi)路堵(du)塞(sai)、石(shi)英(ying)管漏(lou)氣(qi)、微波故障(zhang)等(deng)導致(zhi)；白(bai)斑主要由於(yu)前(qian)道(dao)小黑(hei)點(dian)導致(zhi)。反射率(lv)、折(zhe)射(she)率(lv)等的(de)監(jian)測(ce)、特(te)殊(shu)氣體的(de)安(an)全(quan)等。

表(biao)面發白(bai)色差片(pian)白(bai)斑

PECVD是太(tai)陽(yang)能電池(chi)片(pian)中(zhong)比較(jiao)重要的(de)工(gong)序(xu)，也是體(ti)現(xian)壹(yi)個企(qi)業太(tai)陽(yang)能電池(chi)片(pian)效(xiao)率(lv)的(de)壹(yi)個重(zhong)要指(zhi)標(biao)，PECVD工(gong)序(xu)壹(yi)般較忙，每壹(yi)批電(dian)池片(pian)都(dou)需要監(jian)測(ce)，且(qie)鍍(du)膜爐(lu)管較多，每壹(yi)管壹(yi)般幾百片(pian)（視(shi)設備(bei)而(er)定(ding)），更改(gai)工(gong)藝參數(shu)後(hou)，驗(yan)證周期(qi)較長(chang)。鍍(du)膜技(ji)術(shu)是整(zheng)個光(guang)伏行業比較(jiao)重視的(de)技(ji)術(shu)，太(tai)陽(yang)能電池(chi)的(de)效(xiao)率(lv)提(ti)升(sheng)可以(yi)通過(guo)鍍(du)膜技(ji)術(shu)的(de)提(ti)升(sheng)來(lai)實現(xian)，太(tai)陽(yang)能電池(chi)領(ling)域的(de)科(ke)學(xue)家(jia)們(men)也樂此不(bu)疲(pi)，未來(lai)太(tai)陽(yang)能電池(chi)表(biao)面技(ji)術(shu)或(huo)許(xu)有(you)可能成為太(tai)陽(yang)能電池(chi)理(li)論(lun)效(xiao)率(lv)的(de)突破(po)口。