單晶(jing)爐配(pei)件(jian)之(zhi)石墨熱(re)場的選(xuan)購

直拉(la)單晶(jing)制造法（Czochralski，CZ法）是把(ba)原料多(duo)矽晶(jing)塊(kuai)放入石英(ying)坩(gan)堝中，在單晶(jing)爐中加熱融化 ，再將(jiang)壹根直徑(jing)只有(you)12mm的棒(bang)狀晶(jing)種（稱籽晶(jing)）浸(jin)入融液(ye)中。在合(he)適(shi)的溫(wen)度(du)下，融液(ye)中的矽原子(zi)會(hui)順著(zhe)晶(jing)種的矽原子(zi)排列結(jie)構在固液(ye)交界面(mian)上(shang)形成(cheng)規則(ze)的結(jie)晶(jing)，成為(wei)單晶(jing)體。把(ba)晶(jing)種慢(man)慢旋轉並(bing)向上(shang)提(ti)升，融液(ye)中的矽原子(zi)會(hui)在前(qian)面(mian)形成(cheng)的單(dan)晶(jing)體上(shang)繼(ji)續結(jie)晶(jing)，並(bing)延續(xu)其規則(ze)的原子(zi)排列結(jie)構。若(ruo)整(zheng)個(ge)結晶(jing)環境(jing)穩(wen)定，就(jiu)可以周而復(fu)始地(di)形成(cheng)結晶(jing)，最後形成(cheng)壹根圓柱(zhu)形的原子(zi)排列整(zheng)齊的矽單晶(jing)晶(jing)體，即矽單晶(jing)錠。當(dang)結(jie)晶(jing)加快時，晶(jing)體直徑(jing)會(hui)變粗，提(ti)高(gao)升(sheng)速可以使(shi)直徑(jing)變細(xi)，增(zeng)加溫(wen)度(du)能抑制(zhi)結(jie)晶(jing)速度(du)。反(fan)之(zhi)，若(ruo)結(jie)晶(jing)變慢(man)，直徑(jing)變細(xi)，則(ze)通過降低拉(la)速和降溫(wen)去控制。拉(la)晶(jing)開始，先(xian)引(yin)出壹定長度(du)，直徑(jing)為3～5mm的細(xi)頸，以消(xiao)除結(jie)晶(jing)位(wei)錯，這(zhe)個(ge)過程(cheng)叫做(zuo)引(yin)晶(jing)。然後(hou)放大單晶(jing)體直徑(jing)至工藝要(yao)求(qiu)，進入(ru)等(deng)徑(jing)階段，直至大部(bu)分(fen)矽融液(ye)都(dou)結晶(jing)成單(dan)晶(jing)錠，只(zhi)剩下少量剩料。停爐後(hou)取(qu)出(chu)單晶(jing)棒，壹個(ge)工藝過(guo)程結(jie)束(shu)。